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Gallium Aluminum Arsenide (GaAIAs) 갈륨-알루미늄-비소

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Gallium Aluminum Arsenide (GaAIAs) 갈륨-알루미늄-비소

갈륨, 알루미늄 및 비소의 화합물로 LED제작에 사용된다.

Gallium Arsenide (GaAs) 갈륨-비소

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Gallium Arsenide (GaAs) 갈륨-비소

갈륨 및 비소의 화합물로 LED제작에 이용된다.

Gallium Arsenide Phosphide (GaAsP) 갈륨-비소-인

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Gallium Arsenide Phosphide (GaAsP) 갈륨-비소-인

갈륨, 비소 및 인의 화합물로 LED제작에 이용된다.

Gallium Nitride (GaN) 질화 갈륨

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Gallium Nitride (GaN) 질화 갈륨

갈륨 및 질소의 화합물로 LED제작에 이용된다.

Gallium Phosphide (GaP) 인화 갈륨

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Gallium Phosphide (GaP) 인화 갈륨

갈륨 및 인의 화합물로 LED제작에 이용된다.  

Galvanometer 검류계

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Galvanometer 검류계

낮은 전류를 측정하기 위한 장비이다.

Gas Discharge Display 기체 방전형 디스플레이

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Gas Discharge Display 기체 방전형 디스플레이

기체 방전을 이용하여 문자나 화상을 표시하는 판형(板形)의 디바이스. 기체와 그것을 부분적으로 방전시키기 위한 전극을 봉입한 판형 구조로서, 입력 신호에 대응하여 보통 다수의 점상(點狀) 방전을 선택적으로 일으키고, 투명한 연판을 통하여 표시를 한다.

PLANAR 또는 PLASMA display라고도 한다.

Gate voltage (VG) 게이트 전압

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Gate voltage (VG) 게이트 전압

전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 임계 전압으로, 트랜지스터내에는 절연층 그리고 게이트 전압이 흐르는 기판 사이의 인터페이스에서 형성되는 역전층이 있다.

Gate 게이트

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Gate 게이트

전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트 전극을 뜻하며, 주회로로 보내는 입력신호를 제어하기 위한 것이고, 게이트 전극은 그로부터 인가된 전압에 의해서 전류를 제어하기 위한 것이다.

Gaussian beam 가우스 빔

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Gaussian beam 가우스 빔

광축에 수직인 단면상의 파동의 진폭 분포가 가우스 함수로 표시되는 광선이다.

Germanium 게르마늄

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Germanium 게르마늄

초기 트랜지스터와 결정 다이오드의 제작에 사용된 반도체 소재. 실리콘 트랜지스터에도 성능을 높이기 위한 목적으로 추가하기도 한다. (게르마늄은 실리콘보다 더 높은 전자 이동성을 가진다.).

GPU (Graphic Processing Unit)

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GPU (Graphic Processing Unit)

컴퓨터와 게임 콘솔에서 화면 출력에 관련 연산역할을 수행한다.

Graded Index Fiber : GRIN형 광섬유

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Graded Index Fiber : GRIN형 광섬유

굴절률을 코어 중심에서부터 클래딩까지 점진적으로 낮춘 형태의 광섬유. 일반적인 광섬유에서는 광선이 지그재그로 반사되어 도파하나, GRIN형 광섬유에서는 반사광은 sin파형과 같이 부드러운 형태로 도파하면서, 광섬유내의 신호 왜곡을 줄인다.

Grayscale 그레이스케일[Grayscale, 명암 단계]

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Grayscale 그레이스케일[Grayscale, 명암 단계]

하양에서 검정사이의 회색의 단계 범위로 연속적인 명도변화의 척도이다.

그레이스케일 이미지는 라인 드로잉에 비해 훨씬 상세하고 깊이가 있다. 4비트 그레이스케일은 24=16단계, 8비트 그레이스케일은 28=256 단계가 적용된다.

GRIN-SCH (Graded index separate confinement heterostructure)

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GRIN-SCH (Graded index separate confinement heterostructure)

광가이드층의 굴절율을 활성층보다 크고 클래드층보다는 작게 연속적으로 변화시킨 굴절율 분포형 구조이다.

Ground Loop Noise 접지 루프 소음

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Ground Loop Noise 접지 루프 소음

전위가 다른 지면에 장치를 접지시킴으로써 발생하는 잡음. 접지 루프 잡음은 불요 전류를 흐르게 하는데, 광섬유는 전기적으로 절연체이기 때문에 접지 루프 잡음을 제거하는 효과가 있다.

GSMBE (Gas Source Molecular Beam Epitaxy) 가스 소스 분자선 결정 성장시스템

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GSMBE (Gas Source Molecular Beam Epitaxy) 가스 소스 분자선 결정 성장시스템

MBE 변형으로 GaP에서는 인(P)을 첨가하기 위해 사용되는 PH3와 같이 기체가 하나의 소스가 된다.

Gullwing 걸윙

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Gullwing 걸윙

SMD 패키지를 인쇄 회로판에 연결하기 위해 사용되는 일종의 전극부, 패키지는 PCB의 상단에 위치한다. 리버스 걸윙(Reverse gullwing) 참조.

GUNN Diode 건 다이오드

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GUNN Diode 건 다이오드

비소 갈륨 또는 인화 인듐 및 테르르화 카드뮴 드으이 단결정으로, 3kV/cm이상의 직류 강전계 중에 두면 어떤 지점에서 부성 저항을 갖는 것을 이용한 마이크로파용 반도체 발진 소자이다.